中国电科11所焦平面技术攻关团队成功研制硅基碲镉汞p-on-n型红外短波探测器芯片

近日，中国电科11所焦平面技术攻关团队成功研制硅基碲镉汞p-on-n型红外短波探测器芯片。

“硅基碲镉汞红外探测器典型工作温度为液氮温度77开尔文（-196摄氏度），这种低温工作环境极大限制了它们的体积、质量、功耗、成本的控制，从而限制了红外探测器的应用。”技术专家表示，11所焦平面技术攻关团队持续攻坚材料及器件关键技术，制备的新型红外短波探测器芯片在77开尔文温度下性能良好。在150开尔文（-123摄氏度）温度下同样性能良好。

该项技术突破解决了制约短波大面阵技术发展的难题，为高性能硅基碲镉汞探测器技术发展奠定了基础。后续，技术攻关团队将持续创新突破，进一步提升探测器芯片性能，早日实现更高性能红外探测器芯片的研制。